МОЖЛИВИЙ ФІЗИЧНИЙ МЕХАНІЗМ ФОРМУВАННЯ ЕКСПОНЕНЦІАЛЬНОГО КРАЮ ФУНДАМЕНТАЛЬНОГО ПОГЛИНАННЯ У НЕПРЯМОЗОННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ

Анотація

На підставі спільного аналізу результатів оптичних досліджень шаруватих напівпровідників Tl₂S і GaSe і розрахунків енергетичної зонної структури цих кристалів запропоновано фізичний механізм формування експоненціального краю фундаментального поглинання (КФП) у непрямозонних напівпровідниках. Результати моделювання показали хороше узгодження теоретичних спектрів оптичного поглинання, a(ħω), з експериментальними  спектрами цих сполук. Чисельні значення зонних параметрів, визначені в процесі моделювання, цілком задовільно узгоджуються із значеннями цих величин, одержаних із розрахунків енергетичних зонних структур Tl₂S і GaSe. Це дає підстави використовувати запропоновану модель як своєрідну методику визначення ширини забороненої зони у непрямозонних напівпровідниках у разі експоненціальної форми КФП. Висловлене припущення про можливу універсальність такого фізичного механізму формування КФП у непрямозонних напівпровідниках.

Ключові слова: край фундаментального поглинання, правило Урбаха, непрямозонні напівпровідники, ширина забороненої зони.