ОСОБЛИВОСТІ МЕХАНО-СТИМУЛЬОВАНИХ ЗМІН ЕЛЕКТРОПРОВІДНОСТІ Х-ОПРОМІНЕНИХ КРИСТАЛІВ p-Si

Bohdan Pavlyk, R. Lys, R. Didyk, J. Shykorjak, V. Petrytsya

Анотація


В роботі досліджені механо-стимульовані зміни електропровідності (опору) неопромінених та опромінених Х-променями монокристалічних зразків кремнію р-типу провідності. Виявлено, що на початковій ділянці дії деформації починає формуватись і збільшується ділянка слабкої залежності зміни опору від механічного навантаження.

Встановлено, що на початковому етапі одновісної пружної деформації опромінених кристалів домінують процеси генерації фотоелектронів з подальшою електронно-дірковою рекомбінацією. Результатом цих процесів є наявність максимуму (збільшення величини опору) на початковій стадії деформації опромінених зразків. Подальше збільшення величини пружного механічного навантаження, супроводжується домінуванням процесів генерації носіїв заряду (при вивільненні акцепторних центрів із більш складних дефектів, які руйнуються при деформації кристалу і захопленні їх рухомими дислокаціями) над їхнім гетеруванням і, як наслідок, механо-стимульоване збільшення електропровідності кристалів p-Si.

Ключові слова: кремній, дислокації, одновісна пружна деформація, вимірювання опору.


Повний текст:

PDF

Посилання


Вавилов В.С. Дефекты в кремнии и на его поверхности / В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Ф. Мукашев. – М.: Наука, 1990. – 216 с.

Особенности одноосной упругой деформации кристаллов p-Si, облученных рентгеновскими лучами / Б.В. Павлык, Р.М. Лыс, Р.И. Дидык, И.А. Шикоряк // ФТП. – 2015. – Т. 49, Вып. 5. – С. 638–643.

Горлов М.И. Влияние рентгеновского облучения на электрические параметры полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, Р.Н. Антонов, Е.А. Антонова // Технологии в электронной промышленности (ТвЭП). – 2012. –№6. – С. 76-81.

Барабаш Л.І. Сучасні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів / Л.І. Барабаш, І.М. Вишневський, А.А. Гроза [та ін.] // Вопросы атомной науки и техники. Серия: физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. – 2007. – № 2. – С. 182–189.

Жукавин Р.Х. Стимулированное терагерцовое излучение доноров висмута в одноосно-деформированном кремнии при внутрицентровом оптическом возбуждении / Р.Х. Жукавин, С.Г. Павлов, A. Pohl [и др.] // ФТП. – 2019. – Т.53, Вып.5. – С. 1285-1288.

Gaidar G.P. Radiation-induced effects in silicon / G.P. Gaidar, M.B. Pinkovska, M.I. Starchyk // Problems of Atomic Science and Technology. – 2019. – Vol. 5, No. 123. – P. 35-43.

Берман Л.С. Регулярный рельеф на поверхности кремния как геттер структурных дефектов / Л.С. Берман, И.В. Грехов, Л.С. Костина [и др.] // Письма в ЖТФ. – 1999. – Т.25, №1. – С. 75-80.

Павлик Б.В. Електрофізичні характеристики приповерхневих шарів кристалів Si р-типу з напиленими плівками Al підданих пружній деформації / Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Р.І. Дідик [та ін.] // Український фізичний журнал. – 2013. – Т. 58, № 8. – С. 743–748.

Крылов П.Н. Физические модели термообработанного контакта металл-кремний / П.Н. Крылов // Вестник Удмуртского Университета. Физика. – 2006. – №4. – С. 125-136.

Макара В.А. Обумовлені дією рентгенівського випромінювання та магнітного поля особливості динамічної поведінки дислокацій у кристалах кремнію / В.А. Макара, Л.П. Стебленко, О.М. Кріт [та ін.] // Доповіді Національної академії наук України. – 2012. – №4. – С. 71-74.




DOI: http://dx.doi.org/10.30970/eli.14.8

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.