ВПЛИВ ОДНОВІСНОГО ТИСКУ НА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО Tl2S У ДІЛЯНЦІ КРАЮ ФУНДАМЕНТАЛЬНОГО ПОГЛИНАННЯ. І. ЕКСПЕРИМЕНТ

Анотація

Вперше досліджено вплив одновісного тиску (p||c) на оптичні властивості монокристалічного Tl₂S у ділянці краю фундаментального поглинання (КФП). Показано, що експоненціальний характер КФП зберігається навіть за умови багатократних і тривалих дій одновісного тиску на зразки Tl₂S. Це дає підстави зробити висновок, що експоненціальна форма КФП у кристалічному Tl₂S не спричинена особливостями взаємодії між шарами у цьому шаруватому напівпровіднику, а зумовлена властивостями самих шарів Tl₂S. З’ясовано, що тривале перебування зразків кристалічного Tl₂S під одновісним тиском (2–3 MПа) призводить до формування дуже виразної додаткової експоненціальної залежності у ділянці прозорості безпосередньо перед КФП. Експоненціальний характер цієї ділянки спектра поглинання є наслідком утворення невпорядкованої структури дефектів у ван-дер-ваальсових щілинах шаруватого кристала Tl₂S, спричиненого дією одновісного тиску.

Ключові слова: край фундаментального поглинання, правило Урбаха, одновісний тиск, топологічне розупорядкування.