ВПЛИВ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНОГО ВІДПАЛУ У ВАКУУМІ НА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО n-CdxHg1-xTe(x≈ 0,19)

Анотація

Досліджено вплив низькотемпературного (373 К) відпалу у вакуумі на електрофізичні характеристики монокристалічного n-Cd_xHg_1-xTe (x ~ 0,19) з високою рухливістю носіїв заряду. Вимірюванням температурних залежностей сталої Холла R_H, питомої електропровідності σ і холлівської рухливості m_H доведено, що вже через декілька годин перебування цього матеріалу за такої температури у вакуумі відбувається інверсія типу провідності (n-типу в p-тип). Кількісний аналіз змін електрофізичних параметрів виконано на основі моделей для п- і р-Cd_xHg_1‑xTe. Результати моделювання засвідчили, що у випадку низькотемпературного відпалу у вакуумі причиною інверсії типу провідності є термічна генерації дефектів акцепторного типу (вакансії Hg). Підтверджено висновок про те, що для збереження стабільності фізичних параметрів монокристалічного n-Cd_xHg_1-xTe (x ~ 0,19–0,21) з високою рухливістю носіїв заряду обов’язковою є пасивація поверхні цього матеріалу.

Ключові слова: вузькозонні напівпровідники, ефект Холла, питома електропровідність, інверсія типу електропровідності, низькотемпературний відпал