ВПЛИВ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНОГО ВІДПАЛУ У ВАКУУМІ НА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО p-CdxHg1-xTe (x≈0,28)

Анотація

Досліджено вплив низькотемпературного (373 К) відпалу у вакуумі на електрофізичні характеристики монокристалічного p–Cd_xHg_1-xTe (x»0,28). Шляхом вимірювання температурних залежностей сталої Холла R_H, питомої електропровідності σ і холлівської рухливості m_H доведено, що вже через декілька годин перебування зразків за такої температури у вакуумі відбуваються суттєві зміни електрофізичних параметрів цього матеріалу. Кількісний аналіз змін електрофізичних параметрів виконано на основі моделі для р-Cd_xHg_1‑xTe. З’ясовано, що причиною таких змін є істотне зростання концентрації вакансій ртуті, [V_Hg], яка є дефектом акцепторного типу. Висловлено припущення про можливе існування верхньої межі концентрації вакансій ртуті, якої можна досягнути за такої температури відпалу. Результати моделювання дають всі підстави стверджувати, що це значення не перевищить [V_Hg] ≈ 10¹⁷ см^-3. Зроблений висновок про те, що для збереження стабільності фізичних параметрів монокристалічного p–Cd_xHg_1-xTe (x=0,19÷0,3), в якому концентрація акцепторів N_A у вихідному стані < (2÷3)×10¹⁵ см^-3, обов’язковою є пасивація поверхні цього матеріалу.

Ключові слова: вузькозонні напівпровідники, ефект Холла, питома електропровідність, низькотемпературний відпал