ДОСЛІДЖЕННЯ ОСОБЛИВОСТЕЙ КІНЕТИЧНИХ ТА ЕНЕРГЕТИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК НАПІВПРОВІДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ TINISN1-XGAX

L. Rоmаkа, Yu. Stadnyk, V. А. Rоmаkа, V. Krayovskii, А. Horyn, О. Lakh

Анотація


Досліджено температурні та концентраційні залежності електрокінетичних та енергетичних характеристик напівпровідникового твердого розчину TiNiSn1-xGax (структурний тип MgAgAs) в інтервалі концентрацій х=0-0,15 та температур Т=80–380 K. Визначено, що введення у сполуку TiNiSn атомів Ga шляхом заміщення Sn супроводжується зменшенням значень питомого електроопору TiNiSn1-xGax (при 80 К від значень ρ(х=0,05) = 975,3 мкОм∙м до ρ(х=0,15) =
55,9 мкОм∙м) та коефіцієнта термо-ерс (за температури 380 К від значень α(х=0,02)=-349,7 мкВ/К до α(х=0,15)=-49,3 мкВ/К), проте не приводить до зміни типу основних носіїв струму. Висловлене припущення про існування у TiNiSn1-xGax кількох механізмів генерування структурних дефектів акцепторної та донорної природи.

 

Ключові слова: твердий розчин, електропровідність, коефіцієнт термо-ерс.

Повний текст:

PDF

Посилання


Ромака В. А., Ромака В. В., Стадник Ю. В. Інтерметалічні напівпровідники: властивості та застосування. Львів: Вид-во Львівської політехніки, 2011. 488 с.

Downie R. A., Smith R. I., Maclaren D. A., Bos J.-W. G. Metal distributions, efficient n-type doping, and evidence for in-gap states in TiNiMySn (M=Co,Ni,Cu) half-Heusler nanocomposites // Chem. Mater. 2015. Vol. 27. P. 2449-2459.

Kimura Y., Tanoguchi T., Kita T. Vacancy site occupation by Co and Ir in half-Heusler ZrNiSn and conversion of the thermoelectric properties from n-type to p-type // Acta Mater. 2010. Vol. 58. P. 4354-4361.

Kim S.-W., Kimura Y., Mishima Y. High temperature thermoelectric properties of TiNiSn-based half-Heusler compounds // Intermetallics. 2007. Vol. 15. P. 349-356.

Nolas G. S., Poon J., Kanatzidis M. Recent Developments in Bulk Thermoelectric Materials // MRS Bulletin. 2006. Vol. 31(3). P. 199-205.

Стадник Ю. В., Ромака В. А. Особливості механізмів електропровідності напівпровідникового твердого розчину TiNiSn1-xInx // Термоелектрика. 2007. № 1. С. 4250.

Romaka L. P., Stadnyk Yu. V., Goryn A. M. et al. MgAgAs structure type solid solutions as a new thermoelectric material // 16th Intern. Conf. Thermoelectrics. Germany: Proceedings, 1997. P. 516-519.

Romaka V. A., Stadnyk Yu. V., Romaka V. V. et al. Features of electrical conductivity in the n-ZrNiSn Intermetallic semiconductor heavily doped with the In acceptor impurity // Semiconductors. 2007. Vol. 41. P.1041-1047.

Romaka V. A., Rogl P., Romaka V. V. et al. Features of “a priori” heavy doping of the n-TiNiSn intermetallic semiconductor // Semiconductors. 2011. Vol. 45. P. 850–856.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.