ДОСЛІДЖЕННЯ ОСОБЛИВОСТЕЙ КРИСТАЛІЧНОЇ ТА ЕЛЕКТРОННОЇ СТРУКТУР НАПІВПРОВІДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ TiNiSn1-xGax

А. Horyn, V. V. Rоmаkа, V. Krayovskyy, Z. Rykavets

Анотація


Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину TiNiSn1-xGax (структурний тип MgAgAs) в концентраційних межах х = 0–0,15. Показано, що експериментально встановлена швидкість зміни періоду елементарної комірки а(х) TiNiSn1-xGax є меншою, ніж у випадку розрахунку під час зайняття атомами Ga кристалографічної позиції 4b атомів Sn. З’ясовано, що в процесі заміщення атомів Sn у вихідній сполуці TiNiSn атомами Ga в твердому розчині TiNiSn1-xGax одночасно з акцепторними генеруються структурні дефекти донорної природи у вигляді вакансій у кристалографічній позиції 4b атомів Sn.

 

Ключові слова: кристалічна та електронна структура, рівень Фермі, дефекти.

Повний текст:

PDF

Посилання


Ромака Л., Стадник Ю., Ромака В. А. та ін. Дослідження особливостей кінетичних та енергетичних характеристик напівпровідникового твердого розчину TiNiSn1-xGax // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. 2017. Вип. 58. C. 146–154.

Сколоздра Р. В., Стаднык Ю. В., Стародинова О. Э. Кристаллическая структура и магнитные свойства соединений Ме’Me”Sn (Me’=Ti, Zr, Hf, Nb, Me”=Co, Ni) // Укр. физ. журн. 1986. Т. 31. № 8. С. 1258.

Ромака В. А., Ромака В. В., Стадник Ю. В. Інтерметалічні напівпровідники: властивості та застосування. Львів: Вид-во Львівської політехніки, 2011. 488 с.

Romaka V. A., Rogl P., Romaka V. V. et al. Features of “a priori” heavy doping of the n-TiNiSn intermetallic semiconductor // Semiconductors. 2011. Vol. 45. P. 850–856.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.