ДОСЛІДЖЕННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ НОВОГО ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ НАПІВПРОВІДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ Ti0,99Nb0,01NiSn1-ySby

Yu. Stadnyk, L. Romaka, A. Horyn, V. Romaka, A. Zelinskiy


DOI: http://dx.doi.org/10.30970/vch.6701.072

Анотація


Досліджено структурні, електрокінетичні та енергетичні властивості нового напівпровідникового термоелектричного матеріалу n-Ti0,99Nb0,01NiSn1-ySby, у = 0–0,03, отриманого легуванням напівпровідника n-Ti0,99Nb0,01NiSn атомами Sb (4d105s25p3) шляхом заміщення атомів Sn (4d105s25p2). Виявлено природу генерованих структурних дефектів та породжених ними енергетичних станів. Показано, що у кристалографічній позиції 4c (Sn) за різних концентрацій атомів Sb утворюються дефекти донорної природи та відповідні домішкові донорні стани у забороненій зоні. Синтезовано новий напівпровідниковий термоелектричний матеріал n-Ti0,99Nb0,01NiSn1-ySby,який володіє високими значеннями термоелектричної потужності.

 

Ключові слова: кристалічна структура, структурний дефект, електропровідність, коефіцієнт термо-ерс.


Повний текст:

PDF

Посилання


Romaka V. A., Pashkevych V. Z., Romaka L. P., Stadnyk Yu.V., Romaka V. V., Kovtun S. I., Horyn A. M. New thermoelectric materials based on half-Husler phases // Lviv Polytechnic Publishing House. Lviv, 2025. 628 p. (in Ukrainian). DOI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/111829

Downie R. A., Barczak S. A., Smith R. I., Bos J. W. G.Compositions and thermoelectric properties of XNiSn (X= Ti, Zr, Hf) half-Heusler alloys // J. Mater. Chem. 2015. Vol. 3. P. 10534–10542. DOI: https://doi.org/10.1039/C5TC02025E

Anatychuk L. I. Thermoelectricity. Physics of thermoelectricity, Institute of Thermoelectricity. Kyiv; Chernivtsi, 1998. Vol. 1. 376 p.

Romaka V. A., Stadnyk Yu. V., Romaka L. P., Horyn A. M., Romaka V. V., Haraniuk P. I. Research of thermoelectric material Ti1-xNbxNiSn // J. Thermoelectricity. 2025. No. 1. P. 5–15. DOI: https://doi.org/10.63527/1607-8829-2025-1-5-15

Kuentzler R., Clad R., Schmerber G., Dossmann Y. Gap at the Fermi level and magnetism in RMSn ternary compounds (R= Ti, Zr, Hf and M= Fe, Co, Ni) // J. Magn. Magn. Mater. 1992. Vol. 104/107. P. 1978-1978. DOI: https://doi.org/10.1016/0304-8853(92)91629-8

Akselrud L., Grin Yu. WinCSD: software package for crystallographic calculations (Version 4) // J. Appl. Cryst. 2014. Vol. 47. P. 803–805. DOI: https://doi.org/10.1107/S1600576714001058

Schruter M., Ebert H., Akai H., Entel P., Hoffmann E., Reddy G. G. First-principles investigations of atomic disorder effects on magnetic and structural instabilities in transition-metal alloys // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 52. P. 188-209. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.52.188

Shklovskii B. I., Efros A. L. Electronic Properties of Doped Semiconductors. Berlin; Heidelberg: Springer-Verlag, 1984. 324 р. DOI https://doi.org/10.1007/978-3-662-02403-4


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.