ФАЗОВІ РІВНОВАГИ В СИСТЕМІ Tl2Se–In2Se3–GeSe2 ПРИ 520 K

O Tsisar, L. Piskach, V. Babizhetskyy, V. Levytskyy, B. Kotur, L. Marushko, I. Olekseyuk, V. Parasyuk

Анотація


За результатами рентгенофазового аналізу побудовано ізотермічний переріз діаграми стану квазі-потрійної системи Tl2Se–In2Se3–GeSe2 при 520 K. Підтверджено існування п’яти тернарних та двох тетрарних сполук. Нових сполук не знайдено. Система характеризується утворенням твердих розчинів незначної протяжності на основі вихідних бінарних сполук. Найбільшу область гомогенності має твердий розчин на основі тернарної сполуки TlInSe2 (до 25 мол. % GeSе2) вздовж квазібінарного перерізу TlInSе2–GeSе2. Протяжність решти твердих розчинів не перевищує 1 мол. % при 520 K.

 

Ключові слова: квазіпотрійна система, ізотермічний переріз, фазові рівноваги, кристалічна структура.


Повний текст:

PDF

Посилання


Olekseyuk I., Gorgut G. The Ag2S–Ga2S3–GeS2 system // X Sci.-tech. conf. “Complex oxides, chalcogenides and halcogenides for functional diagnostics”. Coll. Abstr. Uzhhorod (Ukraine), 2000. P. 71 (in Ukrainian).

Sachanyuk V., Gorgut G., Atuchin V. et al. The Ag2S–In2S3–Si(Ge)S2 systems and crystal structure of quaternary sulfides Ag2In2Si(Ge)S6 // J. Alloys Compd. 2008. Vol. 452. P. 348–358. DOI: 10.1016/j.jallcom.2006.11.043

Olekseyuk I., Gulyak A., Sysa L., et al. Crystal chemical properties and preparation of single crystals of AgGaSe2–GeSe2 γ-solid solutions // J. Alloys Compd. 1996. Vol. 241. P. 187–190. DOI: 10.1016/0925-8388(96)02295-5

Pobedimskaya E. A., Alimova L. L., Belov N. V., Badikov V. V. The crystal structure of the Ag-germanogallium sulfide and GeS2 // Sov. Phys. Doklady. 1981. Vol. 26. P. 259–263 (Transl. from Dokl. Akad. Nauk SSSR. 1981. Vol. 257(3). P. 611–614).

Parasyuk O., Fedorchuk A., Gorgut G. et al. Crystal growth, electron structure and photo induced optical changes in novel AgxGaxGe1−xSe2 (x = 0.333, 0.250, 0.200, 0.167) crystals // Opt. Mater. 2012. Vol. 35. P. 65–73. DOI: 10.1016/j.optmat.2012.07.002

Kim Y., Seo I.-S., Martin S. et al. Characterization of new infrared nonlinear optical material with high laser damage threshold, Li2Ga2GeS6 // Chem. Mater. 2008. Vol. 20. P. 6048–6052. DOI:10.1021/cm8007304

Yin W., Feng K., Hao W. et al. Synthesis, structure, and properties of Li2In2MQ6 (M = Si, Ge; Q = S, Se): a new series of IR nonlinear optical materials // Inorg. Chem. 2012. Vol. 51. P. 5839−5843. DOI: 10.1021/ic300373z

Lavrentyev A., Gabrelian B., Vu V., Ananchenko L., et al. Electronic structure and optical properties of noncentrosymmetric LiGaGe2Se6, a promising nonlinear optical material // Physica B. 2016. Vol. 501. P. 74–83. DOI: 10.1016/j.physb.2016.08.021

Yohannan J. P., Vidyasagar K. Syntheses, structural variants and characterization of AInM′S4 (A = alkali metals, Tl; M′ = Ge, Sn) compounds; facile ion-exchange reactions of layered NaInSnS4 and KInSnS4 compounds // J. Solid State. Chem. 2016. Vol. 238. P. 291–302. DOI: 10.1016/j.jssc.2016.03.045

Li S. F., Liu B. W., Zhang M. J. et al. Syntheses, structures, and nonlinear optical properties of two sulfides Na2In2MS6 (M = Si, Ge) // Inorg. Chem. 2016. Vol. 55. P. 1480−1485. DOI: 10.1021/acs.inorgchem.5b02211

Yohannan J. P., Vidyasagar K. Syntheses and structural characterization of non-centrosymmetric Na2M2M'S6 (M, M' = Ga, In, Si, Ge, Sn, Zn, Cd) sulfides // J. Solid State. Chem. 2016. Vol. 238. P. 147−155. DOI: 10.1016/j.jssc.2016.03.026

Ward M. D., Pozzi E. A., Van Duyne R. P., Ibers J. A. Syntheses, structures, and optical properties of the indium/germanium selenides Cs4In8GeSe16, CsInSe2, and CsInGeSe4 // J. Solid State. Chem. 2014. Vol. 212. P. 191–196. DOI: 10.1016/j.jssc.2014.01.023

Khyzhun O., Parasyuk O., Tsisar O. et al. New quaternary thallium indium germanium selenide TlInGe2Se6: crystal and electronic structure // J. Solid State. Chem. 2017. Vol. 254. P. 103–108. DOI: 10.1016/j.jssc.2017.07.014

Khyzhun O., Babizhetskyy V., Kityk I. et al. Thallium indium germanium sulphide (TlInGe2S6) as efficient material for nonlinear optical application // J. Alloys Compd. 2018. Vol. 735. P. 1694–1702. DOI: 10.1016/j.jallcom.2017.11.257

Parasyuk O., Babizhetskyy V., Khyzhun O. et al. Novel quaternary TlGaSn2Se6 single crystal as promising material for laser operated infrared nonlinear optical modulators // Crystals. 2017. Vol. 7. P. 341(1–16). DOI: 10.3390/cryst7110341

Khyzhun O., Fedorchuk A., Kityk I., et al. Electronic structure and laser induced piezoelectricity of a new quaternary compound TlInGe3S8 // Mater. Chem. Phys. 2017. Vol. 204. P. 336–344. DOI: 10.1016/j.matchemphys.2017.10.054

Stasova M. M.;Vainshtein B. K. Determination of the structure of Tl2Se by the electron diffraction method // Sov. Phys. Crystallogr. 1958. Vol. 3. P. 140–146. (Transl. from Kristallographiya. 1950. Vol. 3(2). P. 141–147).

Dittmar G., Schafer H. Die Kristallstruktur von Germanium Diselenid // Acta Cryst. B. 1976. Vol. 32. P. 2726–2728. DOI: 10.1107/S0567740876008704

Popovic S., Tonejc A., Grzeta-Plencovic B. et al. Revised and new crystal data for indium selenides // J. Appl. Crystallogr. 1979. Vol. 12. P. 416–420. DOI: 10.1107/S0021889879012863

Pfitzner А., Lutz Н. Redetermination оf the сrуstal structure оf gamma-In2Se3 by twin crystal Х-Rау method // J. Solid State Chem. 1996. Vol. 124. P. 305–308. DOI: 10.1006/jssc.1996.0241

Mucha I. Phase diagram for the quasi-binary thallium(I) selenide–indium(III) selenide system // Thermochim. Acta. 2012. Vol. 550. P. 1–4. DOI: 10.1016/j.tca.2012.09.028

Badr A., Ashraf I. Spectral photoelectronic features of TlInSe2 single crystals // Phys. Scripta. 2012. Vol. 86. P. 035704. DOI: 10.1088/0031-8949/86/03/035704

Bakhyshov A., Agaeva M., Darvish A. Electrical and optical properties of TlInSe2 single crystals // Phys. Status Sol. (b). 1979. Vol. 91. P. 31–34. DOI: 10.1002/pssb.2220910152

Glukh O., Sabov M., Barchii I., et al. Formation of ternary compounds in the Tl2Se–GeSe2 system // Inorg. Mater. 2009. Vol. 45. P. 1092–1096. DOI: 10.1134/S0020168509100045

Rustamov P. G., Babaeva B. K. Study of interaction in the Іn2Sе3–GeSе2 and Іn2Sе3–Gе systems // Zh. Neorg. Khim. 1975. Vol. 20. P. 2456–2458 (in Russian).

Krykhovets O. V. Phase equilibria and crystal chemical characteristics of the solid solutions and intermediate phases in the systems Ag2Se– BIII2Se3–CIVSe2 (BIII – Ga, In; CIV – Ge, Sn) // Abstract of Candidate’s Thesis (Chemical Sciences), Lviv, 1999. 20 p. (in Ukrainian).

Müller D., Eulenberger G., Hahn H. Über ternaere thalliumchalkogenide mit thalliumselenidstruktur // Z. Anorg. Allg. Chem. 1973. Vol. 398. P. 207–220. DOI: 10.1002/zaac.19733980215

Walther R., Deiseroth H. Crystal structure of thallium pentaindium octaselenide, TlIn5Se8 // Z. Kristallogr. NCS. 1997. Vol. 212. P. 293–293.

DOI: 10.1524/ncrs.1997.212.jg.293

Mozolyuk M. Yu. Phase equilibria and properties of phases in the systems Тl2X–BIIX–DIVX2 і ТlCIIIX2–DIVX2 (BII–Hg, Pb; CIII–Ga, In; DIV–Si, Ge, Sn; X–S, Se) // Abstract of Candidate’s Thesis (Chemical Sciences), Uzhhorod, 2013. 20 p. (in Ukrainian).




DOI: http://dx.doi.org/10.30970/vch.5901.046

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.