ФАЗОВІ РІВНОВАГИ В СИСТЕМІ Tl2Se–In2Se3–GeSe2 ПРИ 520 K
Анотація
За результатами рентгенофазового аналізу побудовано ізотермічний переріз діаграми стану квазі-потрійної системи Tl2Se–In2Se3–GeSe2 при 520 K. Підтверджено існування п’яти тернарних та двох тетрарних сполук. Нових сполук не знайдено. Система характеризується утворенням твердих розчинів незначної протяжності на основі вихідних бінарних сполук. Найбільшу область гомогенності має твердий розчин на основі тернарної сполуки TlInSe2 (до 25 мол. % GeSе2) вздовж квазібінарного перерізу TlInSе2–GeSе2. Протяжність решти твердих розчинів не перевищує 1 мол. % при 520 K.
Ключові слова: квазіпотрійна система, ізотермічний переріз, фазові рівноваги, кристалічна структура.
Повний текст:
PDFПосилання
Olekseyuk I., Gorgut G. The Ag2S–Ga2S3–GeS2 system // X Sci.-tech. conf. “Complex oxides, chalcogenides and halcogenides for functional diagnostics”. Coll. Abstr. Uzhhorod (Ukraine), 2000. P. 71 (in Ukrainian).
Sachanyuk V., Gorgut G., Atuchin V. et al. The Ag2S–In2S3–Si(Ge)S2 systems and crystal structure of quaternary sulfides Ag2In2Si(Ge)S6 // J. Alloys Compd. 2008. Vol. 452. P. 348–358. DOI: 10.1016/j.jallcom.2006.11.043
Olekseyuk I., Gulyak A., Sysa L., et al. Crystal chemical properties and preparation of single crystals of AgGaSe2–GeSe2 γ-solid solutions // J. Alloys Compd. 1996. Vol. 241. P. 187–190. DOI: 10.1016/0925-8388(96)02295-5
Pobedimskaya E. A., Alimova L. L., Belov N. V., Badikov V. V. The crystal structure of the Ag-germanogallium sulfide and GeS2 // Sov. Phys. Doklady. 1981. Vol. 26. P. 259–263 (Transl. from Dokl. Akad. Nauk SSSR. 1981. Vol. 257(3). P. 611–614).
Parasyuk O., Fedorchuk A., Gorgut G. et al. Crystal growth, electron structure and photo induced optical changes in novel AgxGaxGe1−xSe2 (x = 0.333, 0.250, 0.200, 0.167) crystals // Opt. Mater. 2012. Vol. 35. P. 65–73. DOI: 10.1016/j.optmat.2012.07.002
Kim Y., Seo I.-S., Martin S. et al. Characterization of new infrared nonlinear optical material with high laser damage threshold, Li2Ga2GeS6 // Chem. Mater. 2008. Vol. 20. P. 6048–6052. DOI:10.1021/cm8007304
Yin W., Feng K., Hao W. et al. Synthesis, structure, and properties of Li2In2MQ6 (M = Si, Ge; Q = S, Se): a new series of IR nonlinear optical materials // Inorg. Chem. 2012. Vol. 51. P. 5839−5843. DOI: 10.1021/ic300373z
Lavrentyev A., Gabrelian B., Vu V., Ananchenko L., et al. Electronic structure and optical properties of noncentrosymmetric LiGaGe2Se6, a promising nonlinear optical material // Physica B. 2016. Vol. 501. P. 74–83. DOI: 10.1016/j.physb.2016.08.021
Yohannan J. P., Vidyasagar K. Syntheses, structural variants and characterization of AInM′S4 (A = alkali metals, Tl; M′ = Ge, Sn) compounds; facile ion-exchange reactions of layered NaInSnS4 and KInSnS4 compounds // J. Solid State. Chem. 2016. Vol. 238. P. 291–302. DOI: 10.1016/j.jssc.2016.03.045
Li S. F., Liu B. W., Zhang M. J. et al. Syntheses, structures, and nonlinear optical properties of two sulfides Na2In2MS6 (M = Si, Ge) // Inorg. Chem. 2016. Vol. 55. P. 1480−1485. DOI: 10.1021/acs.inorgchem.5b02211
Yohannan J. P., Vidyasagar K. Syntheses and structural characterization of non-centrosymmetric Na2M2M'S6 (M, M' = Ga, In, Si, Ge, Sn, Zn, Cd) sulfides // J. Solid State. Chem. 2016. Vol. 238. P. 147−155. DOI: 10.1016/j.jssc.2016.03.026
Ward M. D., Pozzi E. A., Van Duyne R. P., Ibers J. A. Syntheses, structures, and optical properties of the indium/germanium selenides Cs4In8GeSe16, CsInSe2, and CsInGeSe4 // J. Solid State. Chem. 2014. Vol. 212. P. 191–196. DOI: 10.1016/j.jssc.2014.01.023
Khyzhun O., Parasyuk O., Tsisar O. et al. New quaternary thallium indium germanium selenide TlInGe2Se6: crystal and electronic structure // J. Solid State. Chem. 2017. Vol. 254. P. 103–108. DOI: 10.1016/j.jssc.2017.07.014
Khyzhun O., Babizhetskyy V., Kityk I. et al. Thallium indium germanium sulphide (TlInGe2S6) as efficient material for nonlinear optical application // J. Alloys Compd. 2018. Vol. 735. P. 1694–1702. DOI: 10.1016/j.jallcom.2017.11.257
Parasyuk O., Babizhetskyy V., Khyzhun O. et al. Novel quaternary TlGaSn2Se6 single crystal as promising material for laser operated infrared nonlinear optical modulators // Crystals. 2017. Vol. 7. P. 341(1–16). DOI: 10.3390/cryst7110341
Khyzhun O., Fedorchuk A., Kityk I., et al. Electronic structure and laser induced piezoelectricity of a new quaternary compound TlInGe3S8 // Mater. Chem. Phys. 2017. Vol. 204. P. 336–344. DOI: 10.1016/j.matchemphys.2017.10.054
Stasova M. M.;Vainshtein B. K. Determination of the structure of Tl2Se by the electron diffraction method // Sov. Phys. Crystallogr. 1958. Vol. 3. P. 140–146. (Transl. from Kristallographiya. 1950. Vol. 3(2). P. 141–147).
Dittmar G., Schafer H. Die Kristallstruktur von Germanium Diselenid // Acta Cryst. B. 1976. Vol. 32. P. 2726–2728. DOI: 10.1107/S0567740876008704
Popovic S., Tonejc A., Grzeta-Plencovic B. et al. Revised and new crystal data for indium selenides // J. Appl. Crystallogr. 1979. Vol. 12. P. 416–420. DOI: 10.1107/S0021889879012863
Pfitzner А., Lutz Н. Redetermination оf the сrуstal structure оf gamma-In2Se3 by twin crystal Х-Rау method // J. Solid State Chem. 1996. Vol. 124. P. 305–308. DOI: 10.1006/jssc.1996.0241
Mucha I. Phase diagram for the quasi-binary thallium(I) selenide–indium(III) selenide system // Thermochim. Acta. 2012. Vol. 550. P. 1–4. DOI: 10.1016/j.tca.2012.09.028
Badr A., Ashraf I. Spectral photoelectronic features of TlInSe2 single crystals // Phys. Scripta. 2012. Vol. 86. P. 035704. DOI: 10.1088/0031-8949/86/03/035704
Bakhyshov A., Agaeva M., Darvish A. Electrical and optical properties of TlInSe2 single crystals // Phys. Status Sol. (b). 1979. Vol. 91. P. 31–34. DOI: 10.1002/pssb.2220910152
Glukh O., Sabov M., Barchii I., et al. Formation of ternary compounds in the Tl2Se–GeSe2 system // Inorg. Mater. 2009. Vol. 45. P. 1092–1096. DOI: 10.1134/S0020168509100045
Rustamov P. G., Babaeva B. K. Study of interaction in the Іn2Sе3–GeSе2 and Іn2Sе3–Gе systems // Zh. Neorg. Khim. 1975. Vol. 20. P. 2456–2458 (in Russian).
Krykhovets O. V. Phase equilibria and crystal chemical characteristics of the solid solutions and intermediate phases in the systems Ag2Se– BIII2Se3–CIVSe2 (BIII – Ga, In; CIV – Ge, Sn) // Abstract of Candidate’s Thesis (Chemical Sciences), Lviv, 1999. 20 p. (in Ukrainian).
Müller D., Eulenberger G., Hahn H. Über ternaere thalliumchalkogenide mit thalliumselenidstruktur // Z. Anorg. Allg. Chem. 1973. Vol. 398. P. 207–220. DOI: 10.1002/zaac.19733980215
Walther R., Deiseroth H. Crystal structure of thallium pentaindium octaselenide, TlIn5Se8 // Z. Kristallogr. NCS. 1997. Vol. 212. P. 293–293.
DOI: 10.1524/ncrs.1997.212.jg.293
Mozolyuk M. Yu. Phase equilibria and properties of phases in the systems Тl2X–BIIX–DIVX2 і ТlCIIIX2–DIVX2 (BII–Hg, Pb; CIII–Ga, In; DIV–Si, Ge, Sn; X–S, Se) // Abstract of Candidate’s Thesis (Chemical Sciences), Uzhhorod, 2013. 20 p. (in Ukrainian).
DOI: http://dx.doi.org/10.30970/vch.5901.046
Посилання
- Поки немає зовнішніх посилань.