РОЗЧИННІСТЬ Ga У БІНАРНІЙ СПОЛУЦІ DySi1,75 ПРИ 600°С
Анотація
На основі бінарної сполуки DySi1,75 (структурний тип α-GdSi2, символ Пірсона oI12, просторова група Imma, a = 3,95415(9), b = 4,05352(9), c = 13,3822(3) Å, RB = 0,0526 для DySi1,752(4)) при 600°С існує твердий розчин заміщення–включення протяжністю до 16 ат. % Ga (a = 3,99601(15), b = 4,04901(15), c = 13,4940(5) Å, RB = 0,0595 для DyGa0,41(1)Si1,43(1)). Кристалічна структура твердого розчину є частково впорядкованою: атоми Ga заміщують атоми Si лише в одному кристалографічному положенні, а додаткові атоми Si втілюються в частково вакантну позицію. Твердий розчин зі структурою типу α-GdSi2 існує при сталому значенні концентрації валентних електронів ~10 ē/ф.о., а збільшення вмісту Ga у ньому супроводжується зменшення ромбічної деформації елементарної комірки (a/b = 0,975 для DySi1,75, a/b = 0,987 для DyGa0,41Si1,43).
Ключові слова: диспрозій, галій, силіцій, рентгенівський дифракційний метод порошку, твердий розчин, кристалічна структура.
Повний текст:
PDFПосилання
Villars P., Cenzual K., Daams J. L. C., Hulliger F., Massalski T. B., Okamoto H., Osaki K., Prince A. (Eds). Pauling File Binaries Edition. Materials Park: ASM International (OH). Release 2002/1.
Villars P., Cenzual K. (Eds.). Pearson’s Crystal Data – Crystal Structure Database for Inorganic Compounds. Materials Park: ASM International (OH), Release 2014/15.
Villars P., Cenzual K., Gladyshevskii R. (Eds.). Handbook of Inorganic Substances 2016. Berlin: Walter de Gruyter, 2016. 1877 p.
Буланова М. Б., Буянов Ю. И., Великанова Т. Я. и др. Диаграммы состояния и термодинамика фаз в бинарных системах редкоземельных металлов с кремнием. Справочник. Київ: Наукова думка, 2013. 208 с.
Hoffmann W., Jäniche W. Der Strukturtyp von Aluminiumborid (AlB2) // Naturwissenschaften. 1935. Vol. 23. P. 851.
Brauer G., Mitius A. Die Kristallstruktur des Thoriumsilicids ThSi2 // Z. Anorg. Allg. Chem. 1942. Vol. 249. P. 325–339.
Perri J. A., Binder I., Post B. Rare earth metal ‘disilicides’ // J. Phys. Chem. 1959. Vol. 63. P. 616–619.
Еременко В. Н., Мелешевич К. А., Буянов Ю. И., Марценюк П. С. Строение, состав и фазове равновесия в сплавах диспрозия с кремнием // Укр. хим. журн. 1994. Т. 60. С. 544–551.
Mayer I., Yanir E., Shidlovsky I. Dimorphism of rare earth disilicides // Inorg. Chem. 1967. Vol. 6. P. 842–844.
Perri J. A., Banks E., Post B. Polymorphism of rare earth disilicides // J. Phys. Chem. 1959. Vol. 63. P. 2073–2074.
Pierre J., Lambert Andron B., Soubeyroux J. L. Magnetic structures of rare earth silicides RSi2-x (R = Nd, Ho, Dy) // J. Magn. Magn. Mater. 1989. Vol. 81. P. 39–46.
Roger J., Babizhetskii V. S., Jardin R., Guérin R. et al. Tin flux synthesis of rare-earth metal silicide compounds RESi1.7 (RE = Dy, Ho): a novel ordered structure derived from the AlB2 type // Z. Kristallogr. 2006. Vol. 221. P. 502–510.
Morozkin A. V. Phase equilibria in the Dy–Ti–Si system at 1200 K // J. Alloys Compd. 2002. Vol. 345. P. 155–157.
Zhuang Y., Yang Y., Zhou H., Qin W. The 520°C isothermal section of the phase diagram of the ternary Dy–Fe–Si system // J. Alloys Compd. 1998. Vol. 268. P. 137–140.
Auffret S., Pierre J., Lambert Andron B., Madar R., Houssay E., Schmitt D., Siaud E. Magnetic properties versus crystal structure in heavy rare-earth silicides RSi2-x // Phys. B. 1991. Vol. 173. P. 265–276.
Гладишевський Є. І. Кристалічні структури багатих на Si силіцидів рідкісноземельних елементів ітрієвої підгрупи // Допов. акад. наук. Укр. РСР. 1963. С. 886–888.
Спека М. В. Фазові рівноваги в системах Y–{Al, Si, Ge}–Ga, кристалічна структура і властивості потрійних сполук: автореф. дис. … канд. хім. наук. Київ, 2003. 25 с.
Tokajchuk Ya. O., Fedorchuk A. A., Mokra I. R. Interaction among the components in La–Ga–Si system at 870 K // Polish. J. Chem. 2000. Vol. 74. P. 745–748.
Токайчук Я., Федорчук А., Мокра І., Бодак О. Потрійна система Ce–Ga–Si при 870 K // Вісн. Львів. ун.-ту. Сер. хім. 2002. Вип. 41. C. 40–45.
Токайчук Я. О., Федорчук А. О., Мокра І. Р. Потрійна система Pr–Ga–Si // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. 2000. Вип. 39. C. 25–29.
Tokaychuk Ya. O., Fedorchuk A. O., Bodak O. I., Mokra I. R. Phase relations in the Nd–Ga–Si system at 870 K // J. Alloys Compd. 2004. Vol. 367. C. 64–69.
Токайчук Я. О., Федорчук А. О., Мокра І. Р. Кристалічна структура сполуки SmGa1,1Si0,9 // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. 1999. Вип. 38 C. 31–33.
Токайчук Я. О. Синтез, структура та властивості нових сполук галію з
р-елементами IV групи та рідкісноземельними металами церієвої підгрупи: автореф. дис. … канд. хім. наук. Львів, 2004. 20 с.
Головата Н. В. Характер фазових рівноваг та термодинамічні властивості сплавів потрійних систем Gd–Al–Ga, Gd–Ge–Ga i Gd–Si–Ga: автореф. дис. … канд. хім. наук. Київ, 1999. 20 с.
Пукас С. Я., Черни Р., Маняко М. Б., Гладишевський Р. Є. Нові сполуки в системі Er–Ga–Si // Укр. хим. журн. 2007. Т. 73. № 11. С. 18–26.
Darone G. M., Hmiel B., Zhang J., Saha Sh. et al. Rare-earth metal gallium silicides via the gallium self-flux method. Synthesis, crystal structures, and magnetic properties of RE(Ga1-xSix)2 (RE = Y, La-Nd, Sm, Gd-Yb, Lu) // J. Solid State Chem. 2013. Vol. 201. P. 191–203.
Голдак О., Токайчук Я., Федорчук А., Мокра І. Кристалічна структура DyGa2,81Si0,19 // Зб. наук. праць IX наук. конф. “Львівські хімічні читання – 2003”. Львів, 2003. C. H21.
Голдак О., Токайчук Я., Федорчук А., Мокра І. Кристалічна структура
DyGa1,40–1,22Si0,60–0,78 // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. 2004. Вип. 44. C. 41–43.
STOE WinXPow (Version 2.21). – Darmstadt : Stoe & Cie, 2005.
Rodríguez-Carvajal J. Recent developments of the Program FULLPROF // Commission on Powder Diffraction (IUCr), Newsletter. 2001. Vol. 26. P. 12–19.
Крипякевич П. И. Структурные типы интерметаллических соединений. М.: Наука, 1977. 290 с.
Haszko S. E. Rare-earth gallium compounds having the aluminum-boride structure // Trans. Metall. Soc. AIME. 1961. Vol. 221. P. 201–204.
Токайчук Я., Деленко Т., Гладишевський Р. Структурні перетворення в
DyGa2-xGex (0 ≤ x ≤ 0,6) // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. 2014. Вип. 55. C. 47–53.
Посилання
- Поки немає зовнішніх посилань.