МОДИФІКАЦІЯ ПОВЕРХНІ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО СИЛІЦІЮ
АРЕНДІАЗОНІЙ ТЕТРАФТОРБОРАТОМ ТА ЙОГО ПОХІДНИМИ
Анотація
Проведено модифікацію монокристалічного силіцію арендіазоній тетрафторборатом та
його похідними, описано утворення моно- та мультишарового покриття поверхні ковалентно
прищепленими фенільними замісниками з функціональними групами. Наявність моно- та
мультишарового покриття поверхні доведено термогравіметричним методом дослідження
(дериватографія), електрохімічним деструктивним відновленням та вимірюванням крайового
кута змочування модифікованої поверхні силіцію.
Ключові слова: монокристалічний силіцій, діазосполуки, дериватографія, арендіазоній
тетрафторборат, 4-нітроарендіазоній тетрафторборат, 4-етиларендіазоній тетрафторборат,
4-гідроксиарендіазоній тетрафторборат.
Повний текст:
PDFПосилання
- Поки немає зовнішніх посилань.