ДОСЛІДЖЕННЯ ПЕРЕРІЗІВ GdSi 2 –RGe 2 (R = Tm, Dy)
Анотація
Методами рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено
взаємодію компонентів на перерізах GdSi 2 –DyGe 2 та GdSi 2 –TmGe 2 за температури 873 K.
З’ясовано, що на перерізах GdSi 2 –DyGe 2 та GdSi 2 –TmGe 2 утворюються тверді розчини
заміщення, у яких відбувається поступовий концентраційний перехід від ромбічної структури
типу α-GdSi 2 в тетрагональну типу α-ThSi 2 і навпаки. В квазіпотрійних системах GdSi 2 –GdGe 2 –
DyGe 2 та GdSi 2 –GdGe 2 –TmGe 2 виявлено два поля існування структур: ромбічної a-GdSi 2 та
тетрагональної a-ThSi 2 , між якими відбувається неперервний перехід.
Ключові слова: кристалічна структура, твердий розчин, структурний тип, силіцид, германід, рідкісноземельний метал, рентгенівський фазовий, рентгеноструктурний аналізи.
Повний текст:
PDFПосилання
- Поки немає зовнішніх посилань.