ДОСЛІДЖЕННЯ ПЕРЕРІЗІВ  GdSi 2 –RGe 2  (R = Tm, Dy)  

Liliya Luchyt, N. German, Z. Shpyrka

Анотація


Методами рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено 
взаємодію компонентів на перерізах GdSi 2 –DyGe 2 та GdSi 2 –TmGe 2 за температури 873 K. 
З’ясовано, що на перерізах GdSi 2 –DyGe 2 та GdSi 2 –TmGe 2 утворюються тверді розчини 
заміщення, у яких відбувається поступовий концентраційний перехід від ромбічної структури 
типу α-GdSi 2 в тетрагональну типу α-ThSi 2 і навпаки. В квазіпотрійних системах GdSi 2 –GdGe 2 –
DyGe 2 та GdSi 2 –GdGe 2 –TmGe 2 виявлено два поля існування структур: ромбічної a-GdSi 2 та 
тетрагональної a-ThSi 2 , між якими відбувається неперервний перехід. 

Ключові слова: кристалічна структура, твердий розчин, структурний тип, силіцид, германід, рідкісноземельний метал, рентгенівський фазовий, рентгеноструктурний аналізи. 


Повний текст:

PDF

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.