ДОСЛІДЖЕННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАПІВПРОВІДНИКА n-TiNiSn, ЛЕГОВАНОГО ДОНОРНОЮ ДОМІШКОЮ Nb
Анотація
Досліджено електрокінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину Ti1-xNbxNiSn у діапазонах: Т=80–400 K, х=0–0,10. Додавання до напівпровідника n-TiNiSn найменшої в експерименті концентрації донорної домішки Nb радикально змінює характер поведінки температурних залежностей питомого електроопору та коефіцієнта термо-ерс. Експериментально визначено, що для усіх зразків Ti1-xNbxNiSn та концентрацій за х>0 наявна металізація провідності. Показано, що досліджений напівпровідниковий твердий розчин Ti1-xNbxNiSn є перспективним термоелектричним матеріалом.
Ключові слова: електропровідність, коефіцієнт термо-ерс, рівень Фермі, структурний дефект.
Повний текст:
PDFПосилання
Romaka V. A., Stadnyk Yu. V., Krayovskyy V. Ya. et al. The Latest Heat-Sensitive Materials and Temperature Transducers // Lviv Polytechnic Publishing House. Lviv, 2020. 612 p.
Romaka V. A., Fruchart D., Stadnyk Yu. V. et al. A condition of the maximum power factor achievement for intermetallic semiconductors of the MgAgAs structure type // Semiconductors. 2006. Vol. 40, No. 11. P. 1289–1395. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782606110054
Romaka V. V., Romaka L. P., Krayovskyy V. Ya., Stadnyk Yu. V. Stannides of Rare Earth and Transition Metals // Lviv Polytechnic Publishing House. Lviv, 2015. 224 p.
Akselrud L., Grin Yu. WinCSD: software package for crystallographic calculations (Version 4) // J. Appl. Cryst. 2014. Vol. 47. P. 803–805. DOI: https://doi.org/10.1107/S1600576714001058
Shklovskii B. I., Efros A. L. Electronic Properties of Doped Semiconductors // Springer-Verlag. Berlin; Heidelberg, 1984. 324 р. DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-662-02403-4
Mott N. F., Davis E. A. Electron Processes іn Non-crystalline Materials // Clarendon Press. Oxford, 1979.
DOI: http://dx.doi.org/10.30970/vch.6401.120
Посилання
- Поки немає зовнішніх посилань.