ДОСЛІДЖЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ Lu1-xScxNiSb
Анотація
Досліджено електрокінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину Lu1-xScxNiSb у діапазонах: Т=80–400 K, х=0–0,10. Експериментально з’ясовано, що у Lu1-xScxNiSb одночасно генеруються як структурні дефекти нейтральної природи, так і донорної, концентрація яких росте за збільшення вмісту атомів Sc. Показано, що досліджений напівпровідниковий твердий розчин Lu1-xScxNiSb є перспективним термоелектричним матеріалом.
Ключові слова: електропровідність, коефіцієнт термо-ерс, рівень Фермі, структурний дефект.
Повний текст:
PDFПосилання
Romaka V. V., Romaka L. P., Krayovskyy V. Ya., Stadnyk Yu. V. Stannides of Rare Earths and Transition Metals. Lviv Polytechnic Publishing House. Lviv, 2015. 224 p. (in Ukrainian).
Karla I., Pierre J., Skolozdra R. V. Physical properties and giant magnetoresistance in RNiSb compounds // J. Alloys Compd. 1998. Vol. 265. P. 42–48. DOI: https://doi.org/10.1016/S0925-8388(97)00419-2
Romaka V. V., Romaka L., Horyn A., Rogl P., Stadnyk Yu., Melnychenko N., Orlovskyy M., Krayovskyy V. Peculiarities of thermoelectric half-Heusler phase formation in Gd–Ni–Sb and Lu–Ni–Sb ternary systems // J. Solid State Chem. 2016. Vol. 239. P. 145–152. DOI: https://doi.org/10.1016/j.jssc.2016.04.029
Romaka V. A., Stadnyk Yu. V., Krayovskyy V. Ya., Romaka L. P., Guk O. P., Romaka V. V., Mykyychuk M. M., Horyn A. M. The Latest Heat-Sensitive Materials and Temperature Transducers // Lviv Polytechnic Publishing House. Lviv, 2020. 612 p. (in Ukrainian).
Anatychuk L. I. Thermoelements and thermoelectric devices: Handbook. Naukova dumka. Кyiv, 1979. 768 p. (in Russian).
Akselrud L., Grin Yu. WinCSD: software package for crystallographic calculations (Version 4) // J. Appl. Cryst. 2014. Vol. 47(2). P. 803–805. DOI: https://doi.org/10.1107/S1600576714001058
Romaka L., Stadnyk Yu., Romaka V. A., Klyzub P., Pashkevych V., Horyn А., Garanyuk P. Synthesis and electrical transport properties of Er1-xScxNiSb semiconducting solid solution // Phys. Chem. Solid State. 2021. Vol. 22(1). P. 146–152. DOI: https://doi.org/10.15330/pcss.22.1.146-152
Shklovskii B. I., Efros A. L. Electronic Properties of Doped Semiconductors. Springer-Verlag. NY, 1984. 388 p. DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-662-02403-4
Mott N. F., Davis E. A. Electronic Processes іn Non-crystalline Materials. Clarendon Press. Oxford, 1979. 590 p.
DOI: http://dx.doi.org/10.30970/vch.6301.134
Посилання
- Поки немає зовнішніх посилань.