СИСТЕМА Tb–Hf–Al–Si (600 °С)
Анотація
Сплави системи Tb–Hf–Al–Si, відпалені за температури 600 °С, досліджено методами рентгенівських фазового та структурного аналізів і флюоресцентної та енергодисперсійної спектроскопій. Визначено існування тетрарної фази складу (Tb0,74Hf0,26)(Al0,48Si0,52) з ромбічною структурою типу TlI: символ Пірсона oS8, просторова група Cmcm, a = 4,312(1), b = 10,793(3), c = 3,973(1) Å. У системі Tb–Hf–Al–Si також утворюються тверді розчини заміщення на основі окремих бінарних і тернарних фаз. Розчинність інших двох компонентів у бінарній сполуці Hf5Si3 (структурний тип Mn5Si3, символ Пірсона hP16, просторова група P63/mcm) становить 10 ат. % Tb та 7 ат.% Al ((Tb0,16Hf0,84)5(Al0,19Si0,81)3). Тербій диалюмінід TbAl2 (MgCu2, cF24, Fd-3m) максимально розчиняє 7 ат. % Si ((Tb0,94Hf0,06)(Al0,90Si0,10)2). Сполука еквіатомного складу TbAl (DyAl, oP16, Pbcm) розчиняє до 8 ат.% Hf та 5 ат. % Si ((Tb0,85Hf0,15)(Al0,89Si0,11)), а гафній силіцид HfSi зі структурою типу FeB (oP8, Pnma) розчиняє до 9 ат.% Tb та 7 ат. % Al ((Tb0,17Hf0,83)(Al0,15Si0,85)). Максимальна розчинність алюмінію в тернарній сполуці Tb2Hf3Si4 (Sc2Re3Si4, tP36, P41212) становить 18 ат. % (Tb2,4Hf2,6(Al0,42Si0,58)4).
Ключові слова: система Tb–Hf–Al–Si, рентгенофазовий аналіз, енергодисперсійна рентгенівська спектроскопія, тверді розчини, структурний тип TlI.
Повний текст:
PDFПосилання
Villars P., Cenzual K., Daams J. L. C., Hulliger F., Okamoto H., Osaki K., Prince A., Iwata S. Pauling File. Inorganic Materials Database and Design System // Crystal Impact (Distributor). Germany, 2001.
Bulanova M. V., Mikolenko A. N., Meleshevich K. A., Effenberg G., Saltykov P. A. Terbium-silicon system // Z. Metallk. 1999. Bd. 90, No. 3. S. 216‒222. DOI: https://www.osti.gov/etdeweb/biblio/336232
Gokhale A. B., Abbaschian G. J. Hf–Si (hafnium–silicon) system // Bull. Alloy Phase Diagr. 1989. Vol. 10, No. 3. P. 390‒396. DOI: https://doi.org/10.1007/BF02877595
Villars P., Cenzual K. (Eds.) Pearson’s Crystal Data – Crystal Structure Database for Inorganic Compounds // ASM International: Materials Park, OH, USA, Release 2019/20.
Tyvanchuk A.T. The ternary systems Al‒{La, Ce, Pr, Nd, Gd, Tb, Dy, Ho, Lu}‒{Zr, Hf, Nb} in the range 66.7‒100 at. % aluminum // Abstr. Cand. Sci. Thesis (Inorg. Chem.). Lviv, 1979. 24 p. (in Russian).
Muts N., Manyako M., Lasocha W., Gladyshevskii R. The Tb–Hf–Si system at 873 K // Chem. Met. Alloys. 2009. Vol. 2. P. 187‒193. DOI: https://doi.org/10.30970/cma2.0115
Melnyk I., Pikus S., Semus’o N., Gladyshevskii R. Phase diagrams of the Ln‒Al‒{Si,Ge} systems // Arch. Nauki Mater. 2004. Vol. 25, No. 2. P. 113‒131.
Rodriguez–Carvajal J. Recent developments of the Program FULLPROF // Commission on Powder Diffraction (IUCr). Newsletter, 2001. Vol. 26. P. 12–19.
Parthé E., Gelato L., Chabot B., Penzo M., Cenzual K., Gladyshevskii R. TYPIX Standardized Data and Crystal Chemical Characterization of Іnorganic Structure Types. Vol. 1–4. Heidelberg : Springer‒Verlag, 1993. P. 1596.
Muts N., Gladyshevskii R. CrB-type phases in the Tb–Zr–Al–Si system // Z. Anorg. Allg. Chem. 2006. Vol. 632. P. 2345‒2349. DOI: https://doi.org/10.1002/zaac.200600193
Semus’o N. Z. The ternary systems {Pr, Tb} ‒Al‒ {Si, Ge}. Phase equilibria, crystal structures and electrical properties of compounds // Abstr. Cand. Sci. Thesis (Inorg. Chem.). Lviv, 2001. 24 p. (in Ukrainian).
Pötzschke M., Schubert K. Zum Aufbau einiger zu T4–B3 homologer und quasihomologer Systeme. II. Die Systeme Titan–Aluminium, Zirkonium–Aluminium, Hafnium–Aluminium, Molybdän–Aluminium und einige ternäre Systeme // Z. Metallkd. 1962. Vol. 53. P. 548‒560.
Kotur B. Ya., Ratush G. М. Isothermal cross section of the Sc–Hf–Si system at 1070 K // Izv. Akad. Nauk SSSR. Neorg. Mater. 1991. Vol. 27 (3). P. 513–516 (in Russian).
DOI: http://dx.doi.org/10.30970/vch.6301.041
Посилання
- Поки немає зовнішніх посилань.