Дефекти в структурах дисиліцидів і дигерманідів
рідкісноземельних металів
Chem.
Met. Alloys 13 (2020)
36-44
https://doi.org/10.30970/cma13.0403
Світлана ПУКАС, Роман ГЛАДИШЕВСЬКИЙ
На основі літературних відомостей та власних експериментальних даних
проведено огляд та обговорення кристалічних структур (дефектних) бінарних
дисиліцидів та дигерманідів рідкісноземельних металів (R). У кожній подвійній системі R–{Si,Ge} відомо до шести сполук змінного складу RSi2-x чи RGe2-x (x = 0-0,5). Для певних
складів відбувається впорядкування вакансій з утворенням надструктур.
Електронний фактор має істотний вплив на реалізацію певного структурного типу,
і показано, що суттєвим критерієм для утворення стехіометричних чи
нестехіометричних дисиліцидів (дигерманідів) рідкісноземельних металів є
концентрація валентних електронів, що припадає на один атом p-елемента (VECA), яка не повинна перевищувати 8,3. Необхідне
значення VECA можна
досягнути через вакансії в положеннях Si(Ge), гетеровалентні заміщення атомами Al чи Ga
або зрощення з іншими структурними сегментами.
Структурний тип α-ThSi2
та його впорядковані дефектні похідні.
Ключові слова
Рідкісноземельні метали / Силіцид / Германід / Кристалічна структура / Похідна віднімання / Структурна серія / Концентрація валентних електронів