Дефекти в структурах дисиліцидів і дигерманідів рідкісноземельних металів

Chem. Met. Alloys 13 (2020) 36-44

https://doi.org/10.30970/cma13.0403

Світлана ПУКАС, Роман ГЛАДИШЕВСЬКИЙ

На основі літературних відомостей та власних експериментальних даних проведено огляд та обговорення кристалічних структур (дефектних) бінарних дисиліцидів та дигерманідів рідкісноземельних металів (R). У кожній подвійній системі R–{Si,Ge} відомо до шести сполук змінного складу RSi_2-x чи RGe_2-x (x = 0-0,5). Для певних складів відбувається впорядкування вакансій з утворенням надструктур. Електронний фактор має істотний вплив на реалізацію певного структурного типу, і показано, що суттєвим критерієм для утворення стехіометричних чи нестехіометричних дисиліцидів (дигерманідів) рідкісноземельних металів є концентрація валентних електронів, що припадає на один атом p-елемента (VEC_A), яка не повинна перевищувати 8,3. Необхідне значення VEC_A можна досягнути через вакансії в положеннях Si(Ge), гетеровалентні заміщення атомами Al чи Ga або зрощення з іншими структурними сегментами.

Структурний тип α-ThSi₂ та його впорядковані дефектні похідні.

Ключові слова

Рідкісноземельні метали / Силіцид / Германід / Кристалічна структура / Похідна віднімання / Структурна серія / Концентрація валентних електронів