Фазові рівноваги між тетрарними
напівпровідниками AI2BIIСIVX4 (AI
– Cu; BII – Zn, Cd; СIV – Si, Ge, Sn, X
– S, Se)
Chem. Met. Alloys 12
(2019) 51-60
https://doi.org/10.30970/cma12.0387
І.Д. ОЛЕКСЕЮК1, Л.П. МАРУШКО1, І.А. ІВАЩЕНКО1*, Л.В. ПІСКАЧ1, О.В. ПАРАСЮК1
1 Кафедра хімії
та технології, Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки,
просп. Волі 13, 43025 Луцьк, Україна
* Контактна особа. E-mail: inna.ivashchenko05@gmail.com
Досліджено взаємодію між тетрарними сполуками AI2BIIСIVX4.
Для систем Cu2CdGeS4–Cu2CdSnS4 та
Cu2ZnGeSe4–Cu2CdGeSe4 побудовано
політермічні перерізи. У системах, що містять цинк, досліджено протяжність
твердих розчинів на основі граничних сполук. Найбільшу ширину твердого розчину
виявлено вздовж перерізу Cu2ZnGeS4–Cu2ZnSiS4,
де Cu2ZnSiS4 простягається до 50 мол.%.
Вертикальний переріз Cu2CdGeS4–Cu2CdSnS4.
Ключові слова
Халькогеніди / Напівпровідники / Рентгенівська дифракція / Кристалічна структура