Фазові рівноваги між тетрарними напівпровідниками A^I₂B^IIС^IVX₄ (A^I – Cu; B^II – Zn, Cd; С^IV – Si, Ge, Sn, X – S, Se)

Chem. Met. Alloys 12 (2019) 51-60

https://doi.org/10.30970/cma12.0387

І.Д. ОЛЕКСЕЮК¹, Л.П. МАРУШКО¹, І.А. ІВАЩЕНКО¹*, Л.В. ПІСКАЧ¹, О.В. ПАРАСЮК¹

¹ Кафедра хімії та технології, Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки, просп. Волі 13, 43025 Луцьк, Україна

* Контактна особа. E-mail: inna.ivashchenko05@gmail.com

Досліджено взаємодію між тетрарними сполуками A^I₂B^IIС^IVX₄. Для систем Cu₂CdGeS₄–Cu₂CdSnS₄ та Cu₂ZnGeSe₄–Cu₂CdGeSe₄ побудовано політермічні перерізи. У системах, що містять цинк, досліджено протяжність твердих розчинів на основі граничних сполук. Найбільшу ширину твердого розчину виявлено вздовж перерізу Cu₂ZnGeS₄–Cu₂ZnSiS₄, де Cu₂ZnSiS₄ простягається до 50 мол.%.

Вертикальний переріз Cu₂CdGeS₄–Cu₂CdSnS₄.

Ключові слова

Халькогеніди / Напівпровідники / Рентгенівська дифракція / Кристалічна структура