Діаграма стану системи TlGaS₂–CdS та оптичні властивості кристала TlGaS₂:Cd²⁺

Chem. Met. Alloys 10 (2017) 142-148

https://doi.org/10.30970/cma10.0369

Людмила ПІСКАЧ¹*, Галина МИРОНЧУК², Ганна МАХНОВЕЦЬ²

¹ Кафедра неорганічної та фізичної хімії, Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки, просп. Волі 13, 43009 Луцьк, Україна

² Кафедра фізики твердого тіла та інформаційно-вимірювальних технологій, Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки, просп. Волі 13, 43009 Луцьк, Україна

* Контактна особа. Тел.: +380-32-1234567; e-mail: lyuda0760@ukr.net

Діаграма стану системи TlGaS₂–CdS має евтектичний тип з координатами 1021 К, ~80 мол.% TlGaS₂ / ~20 мол.% CdS. Розчинність компонентів у твердому стані становить менше 5 мол.% при 670 К. Досліджено оптичні властивості монокристалу складу 98 мол.% TlGaS₂ / 2 мол.% CdS, вирощеного методом Бріджмана. Вимірювання поглинання проводили у діапазоні 100-300 К з кроком 50 К. Енергії забороненої зони для прямого (E_gd) та непрямого (E_gi) переходів у TlGaS₂:Cd²⁺ обчислено як функції температури. Виявлено, що їхня частота становить 2,28 і 2,32 еВ при 100 К та 2,27 і 2,2 еВ при 300 К, тобто пропускна здатність для непрямих оптичних переходів менша, ніж пропускна здатність для прямих переходів. Значення енергії забороненої зони для прямого та непрямого переходів зменшуються зі збільшенням температури, тоді як параметр крутизни та енергія Урбаха зростають зі збільшенням температури в діапазоні 100-300 К. Розрахована енергія Урбаха становить 163 меВ при 100 К і 239 меВ при 300 К.

Діаграма стану системи TlGaS₂–CdS.

Ключові слова

Фазові рівноваги / Вирощування кристалів / Диференціальний термічний аналіз / Рентгенівська дифракція / Енергія Урбаха / Параметр крутизни