ПЕРЕРІЗИ GdSi 1,5 – RGe 1,5 (R=Tm, Dy)

Анотація

Методами рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено 
взаємодію компонентів на перерізах GdSi _1,5 –DyGe _1,5 та GdSi _1,5 –TmGe _1,5 за температури 600 °C. 
Визначено існування неперервних твердих розчинів заміщення на перерізах GdSi _1,5 –
DyGe _1,5 , які утворюють концентраційні площини GdGe _1,5 –DyGe _1,5 –DySi _1,5 –GdSi _1,5 зі струк-
турою типу AlB ₂ . У системі Tm–Si–Ge між бінарним силіцидом і германідом тулію 
спостерігаємо обмежену розчинність. 
Низку полікристалічних зразків Gd _0,20 Dy _0,20 Si _0,20 Ge _0,40 , Gd _0,20 Dy _0,20 Si _0,50 Ge _0,10 , 
Tm _0,40 Si _0,20 Ge _0,40 , Tm _0,40 Si _0,40 Ge _0,20 , Gd _{0 , 10} Tm _0,30 Si _0,60 та Gd _0,20 Tm _0,20 Si _0,60 досліджено методом 
рентгенівської енергодисперсійної спектроскопії для визначення кількісного складу фаз. 
Ключові слова: кристалічна структура, твердий розчин, структурний тип, силіцид, 
германід, рідкісноземельний метал, рентгенівський фазовий, рентгеноструктурний аналізи, 
рентгенівська енергодисперсійна спектроскопія.