ДОСЛІДЖЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ TiСо1-xCrxSb
Анотація
Досліджено кінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину TiСо1-xCrxSb у діапазонах: Т=80–400 К, х=0–0,10. Показано, що у TiСо1-xCrxSb одночасно у різних співвідношеннях залежно від концентрації Cr генеруються структурні дефекти донорної та акцепторної природи, а в забороненій зоні з’являються відповідні енергетичні стани. З’ясовано, що за всіх температур та концентрацій х=0–0,02 електрони є основними носіями струму, а швидкість генерування донорів переважає швидкість генерування акцепторів. За концентрацій х>0,02 швидкість генерування акцепторів переважає швидкість генерування донорів, а за х>0,03 знак коефіцієнта термо-ерс α(х,Т) TiСо1-xCrxSb стає додатним і дірки є основними носіями струму. Досліджений твердий розчин TiСо1-xCrxSb є перспективним термоелектричним матеріалом.
Ключові слова: електропровідність, коефіцієнт термо-ерс, рівень Фермі, структурний дефект.
Повний текст:
PDFПосилання
Romaka V. A., Stadnyk Yu. V., Krayovskyy V. Ya., Romaka L. P. et al. The latest heat-sensitive materials and temperature transducers // Lviv Polytechnic Publishing House. Lviv, 2020. 612 p. (in Ukrainian). DOI: https://opac.lpnu.ua/bib/1131184
Romaka V. A., Stadnyk Yu. V., Akselrud L. G., Romaka V. V. et al. Mechanism of local amorphization of a heavily doped Ti1-xVxCoSb intermetallic semiconductor // Semiconductors. 2008. Vol. 42, No. 7. P. 753–760. DOI: http://dx.doi.org/10.1134/S1063782608070014
Akselrud L., Grin Yu. WinCSD: software package for crystallographic calculations (Version 4) // J. Appl. Cryst. 2014. Vol. 47(2). P. 803–805. DOI: doi.org/10.1107/S1600576714001058
Schruter M., Ebert H., Akai H., Entel P. et al. First-principles investigations of atomic disorder effects on magnetic and structural instabilities in transition-metal alloys // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 52. P. 188–209. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.52.188
Moruzzi V., Janak J., Williams A. Calculated Electronic Properties of Metals // Pergamon Press. New York, 1978. 188 p. DOI: https://doi.org/10.1016/B978-0-08-022705-4.50002-8
Shklovskii B. I., Efros A. L. Electronic Properties of Doped Semiconductors // Springer-Verlag. Berlin; Heidelberg, 1984. 324 р. DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-662-02403-4
Mott N. F., Davis E. A. Electronic Processes іn Non-crystalline Materials // Clarendon Press. Oxford, 1979. 590 p. DOI: https://doi.org/10.1002/crat.19720070420
DOI: http://dx.doi.org/10.30970/vch.6501.134
Посилання
- Поки немає зовнішніх посилань.