ЕНЕРГЕТИЧНІ ТА ЕЛЕКТРОКІНЕТИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ НАПІВПРОВІДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ TiСo1-xMnxSb

Yu. V. Stadnyk, L. Romaka, V. A. Romaka, M. B. Konyk, V. Z. Pashkevych, A. M. Нoryn, M. V. Rokomanyuk

Анотація


Досліджено електрокінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину TiСo1-xMnxSb у діапазонах: Т=80–400 К, х=0,01–0,10. Експериментально визначено, що у TiСo1-xMnxSb одночасно генеруються як структурні дефекти акцепторної природи, так і донорної, концентрація яких росте за збільшення вмісту атомів Mn. Показано, що досліджений напівпровідниковий твердий розчин   TiСo1-xMnxSb є перспективним термоелектричним матеріалом.

Ключові слова: електропровідність, коефіцієнт термо-ерс, рівень Фермі, структурний дефект.


Повний текст:

PDF

Посилання


Romaka V. V., Romaka L. P., Krayovskyy V. Ya., Stadnyk Yu. V. Stannides of Rare Earths and Transition Metals. Lviv Politechnik. Lviv, 2015. 224 p. (in Ukrainian).

Romaka V. A., Stadnyk Yu. V., Shelyapina M. G., Fruchart D., Chekurin V. F., Romaka L. P., Gorelenko Yu. K. Specific features of the metal-insulator conductivity transition in narrow-gap semiconductors of the MgAgAs structure type // Semiconductors. 2006. Vol. 40. No 2. P. 131–136. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782606020035

Romaka V. A., Shelyapina M. G., Stadnyk Yu. V., Fruchart D., Romaka L. P., Chekurin V. F. The role of the impurity band in insulator-metall transition due to composition change in highly doped and compensated semiconducting TiCo1-xNixSb solid solution. Donor impurities // Semiconductors. 2006. Vol. 40. No 7. P. 776–780. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782606070074

Romaka L. P., Shelyapina M. G., Stadnyk Yu. V., Fruchart D., Hlil E. K., Romaka V. A. Peculiarity of metal–insulator transition due to composition change in semiconducting TiCo1‑xNixSb solid solution. I. Electronic structure calculations // J. Alloys Compd. 2006. Vol. 416. P. 46–50. DOI: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2005.08.051

Stadnyk Yu., Romaka V. A., Shelyapina M., Gorelenko Yu., Romaka L., Fruchart D., Tkachuk A., Chekurin V. Impurity band effect on TiCo1-xNixSb conduction. Donor impurities // J. Alloys Compd. 2006. Vol. 421. P. 19–23. DOI: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2005.11.008

Romaka V. A., Stadnyk Yu. V., Shelyapina M. G., Fruchart D., Chekurin V. F., Romaka L. P., Tkachuk A. V. Dielectric-metal transition during a change of the composition of a highly doped and compensated TiCo1-xNixSb solid solution: The role of donor impurities // Ukr. J. Phys. 2006. Vol. 51. No 5. P. 487–492.

Romaka V. A., Stadnyk Yu., Fruchart D., Tobola J., Gorelenko Yu. K., Romaka L. P., Checurin V. F., Horyn A. M. Features of doping of the p-TiCoSb intermetallic semiconductor with a Cu donor impurity. 1. Calculation of electron structure // Ukr. J. Phys. 2007. Vol. 52. No 5. P. 453–457.

Romaka V. A., Stadnyk Yu., Fruchart D., Tobola J., Gorelenko Yu. K., Romaka L. P., Chekurin V. F., Horyn A. M. Specific features of doping the p-TiCoSb intermetallic semiconductor with a Cu donor impurity. 2. Experimental studies // Ukr. J. Phys. 2007. Vol. 52. No 7. P. 650–656.

Romaka V. A., Stadnyk Yu. V., Akselrud L. G., Romaka V. V., Fruсhart D., Rogl P., Davydov V. N., Gorelenko Yu. K. Mechanism of local amorphization of a heavily doped Ti1-xVxCoSb intermetallic semiconductor // Semiconductors. 2008. Vol. 42. No 7. P. 753–760. DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782608070014

Romaka V. A., Stadnyk Yu. V., Rogl P., Akselrud L. G., Davydov V. N., Romaka V. V., Gorelenko Yu. K., Horyn A. M. Mechanism of acceptor impurity initiation in the TiCoSb intermetallic semiconductor heavily doped with a V donor impurity. 1. Studies of the crystal structure and the distribution of the electron density of states // Ukr. J. Phys. 2008. Vol. 53. No 2. P. 157–161.

Romaka V. A., Stadnyk Yu. V., Rogl P., Fruchart D., Gorelenko Yu. K., Romaka L. P., Horyn A. M. Mechanism of acceptor impurity initiation in the p-TiCoSb intermetallic semiconductor heavily doped with a V donor impurity. 2. Electrokinetic studies // Ukr. J. Phys. 2008. Vol. 53. No 9. P. 889–893.

Roisnel T., Rodriguez-Carvajal J. WinPLOTR: a Windows tool for powder diffraction patterns analysis // Mater. Sci. Forum EPDIC7. Proc. 2001. Vol. 378-381. P. 118–123. DOI: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.378-381.118

Schruter M., Ebert H., Akai H., Entel P., Hoffmann E., Reddy G. G. First-principles investigations of atomic disorder effects on magnetic and structural instabilities in transition-metal alloys // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 52(1). P. 188-209. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.52.188

Moruzzi V. L., Janak J. F., Williams A. R. Calculated electronic properties of metals. Pergamon Press. NY, 1978. 348 р.

Mott N. F., Davis E. A. Electronic Processes іn Non-crystalline Materials. Clarendon Press. Oxford, 1979. 590 p.

Shklovskii B. I., Efros A. L. Electronic Properties of Doped Semiconductors. Springer-Verlag. NY, 1984. 388 p. DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-662-02403-4




DOI: http://dx.doi.org/10.30970/vch.6201.088

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.