ДОСЛІДЖЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ TiNi1-xRhxSn
Анотація
Досліджено кристалічну та електронну структури, кінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину TiNi1-xRhxSn у діапазонах: Т=80–400 К, х=0,01–0,10. Моделювання електронної структури TiNi1-xRhxSn спрогнозували, а експериментальні дослідження підтвердили механізм генерування структурних дефектів акцепторної природи під час заміщення атомів Ni на Rh. Експериментально визначено, що для забезпечення стійкості структури та принципу електронейтральності у TiNi1-xRhxSn одночасно генеруються структурні дефекти акцепторної і донорної природи, концентрація яких росте за збільшення вмісту атомів Rh. Показано, що досліджений напівпровідниковий твердий розчин TiNi1-xRhxSn є перспективним термоелектричним матеріалом.
Ключові слова: кристалічна та електронна структури, рівень Фермі, структурний дефект.
Повний текст:
PDFПосилання
Romaka V. A., Romaka V. V., Stadnyk Yu. V. Intermetallic Semiconductors: Properties and Applications. Lvivska Politekhnika. Lviv, 2011 (in Ukrainian).
Gurth M., Rogl G., Romaka V. V., Bauer E., Rogl P. Thermoelectric high ZT half-Heusler alloys Ti1-x-yZrxHfyNiSn (0≤x≤1; 0≤y≤1) // Acta Mater. 2016. Vol. 104. Р. 210–222. DOI: https://doi.org/10.1016/j.actamat.2015.11.022
Romaka L., Stadnyk Yu.V., Romaka V.A., Horyn A.M. Features of Structural, Electrokinetic and Energy State Characteristics of Vx+yCo1-ySb3 // Phys. Сhem. Solid State. 2017. Vol. 15(3). P. 328–332.
Carlini R., Fanciulli C., Boulet P., Record M. C., Romaka V. V., Rogl P.-F. Skutterudites for Thermoelectric Applications: Properties, Synthesis and Modeling. In Alloys and Intermetallic Compounds, ed. by Artini C. (London-NY, Taylor & Francis Group. 2017. Р. 324–356) [International Standard Book Number-13: 978-1-4987-4143-9 (Hardback)].
Shklovskii B. I., Efros A. L. Electronic Properties of Doped Semiconductors, Springer. New York, 1984.
Romaka V. A., Rogl P., Stadnyk Yu. V., Romaka V. V., Hlil E. K., Krajovski V. Ya., Horyn A. M. Features of Conduction Mechanisms in n-HfNiSn Semiconductor Heavily Doped with a Rh Acceptor Impurity // Semiconductors. 2013. Vol. 47(9). P. 1145–1152.
Romaka V. A., Romaka L. P., Rogl P.-F., Romaka V. V., Stadnyk Yu. V., Horyn A. M.,Opirskyy I. R. Features of electrical conductivity mechanisms of ZrNi1‑xRhxSn thermoelectric material // J. Thermoelectricity. 2017. No. 5. P. 24–41.
Romaka V. V., Romaka L. P., Krayovskyy V. Ya., Stadnyk Yu. V. Stannides of rare earth and transition metals. Lvivska Politekhnika. Lviv, 2015 (in Ukrainian).
Roisnel T., Rodriguez-Carvajal J. WinPLOTR: a Windows tool for powder diffraction patterns analysis // Mater. Sci. Forum. 2001. Vol. 378-381. Р. 118–123.
Schruter M., Ebert H., Akai H., Entel P., Hoffmann E., Reddy G. G. First-principles investigations of atomic disorder effects on magnetic and structural instabilities in transition-metal alloys // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 52(1). P. 188-209. DOI:https://doi.org/10.1103/PhysRevB.52.188
Moruzzi V. L., Janak J. F., Williams A. R. Calculated electronic properties of metals. NY: Pergamon Press, 1978. 348 р.
DOI: http://dx.doi.org/10.30970/vch.6101.114
Посилання
- Поки немає зовнішніх посилань.