ВПЛИВ ЛЕГУВАННЯ АКЦЕПТОРНОЮ ДОМІШКОЮ Cr НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СКУТЕРУДИТУ CoSb3

A. Horyn, L. Romaka, Yu. Stadnyk

Анотація


Методом рентгенівського фазового аналізу досліджено розчинність хрому в бінарному скутерудиті CoSb3. Вивчено температурні і концентраційні залежності питомого електроопору та коефіцієнта термоерс легованого скутерудиту CrxCo1-хSb3 у діапазонах температур 80–400 К,
х = 0,005–0,070. З’ясовано, що за концентрації х = 0,070 домішкових атомів Cr за температури
~113 К відбувається зміна знаку коефіцієнта термоерс.


Ключові слова: скутерудит, твердий розчин, питомий електроопір, диференціальна термоерс.


Повний текст:

PDF

Посилання


Jeitschko W., Braun D. LaFe4P12 with filled CoAs3-type structure and isotypic lanthanoid-transition metal polyphosphides // Acta Crystallogr. B. 1977. Vol. 33(11). P. 3401–3406. DOI: https://doi.org/10.1107/s056774087701108x

Chen C., Zhang L., Li J., Yu F., Yu D., Tian Y., Xu B. Enhanced thermoelectric performance of lanthanum filled CoSb3 synthesized under high pressure // J. Alloys Compd. 2017. Vol. 699. P. 751–755. DOI: https://doi.org/10.1016jallcom 2016.12.425

Zhang Q., Chen C., Kang Y., Li X., Zhang L., Yu D., Tian Y., Xu B. Structural and thermoelectric characterizations of samarium filled CoSb3 skutterudites // Materials Letters. 2015. Vol. 143. P. 41–43. DOI: https://doi.org/10.1016/j.matlet.2014.12.019

Yang J., Xu B., Zhang L., Liu Y., Yu D., Liu Z., He J., Tian Y. Gadolinium filled CoSb3: High pressure synthesis and thermoelectric properties // Materials Letters. 2013. Vol. 98. P. 171–173. DOI: https://doi.org/10.1016/j.matlet.2013.02.034

Li X., Zhang Q., Kang Y., Chen C., Zhang L., Yu D., Tian Y., Xu B. High pressure synthesized Ca-filled CoSb3 skutterudites with enhanced thermoelectric properties // J. Alloys Compd. 2016. V. 677. P 61–65. DOI: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2016.03.239

Kim I.-H., Ur S.-C. Electronic transport properties of Fe-doped CoSb3 prepared by encapsulated induction melting // Materials Letters 2007. Vol. 61. Iss. (11–12). P. 2446–2450. DOI: https://doi.org/10.1016/j.matlet.2006.09.034

Akselrud L., Grin Yu. WinCSD: software package for crystallographic calculations (Version 4) // J. Appl. Cryst. 2014. Vol. 47. P. 803–805. DOI: https://doi.org/10.1107/S1600576714001058

Zhao D., Tian Ch., Liu Y., Zhan Ch., Chen L. High temperature sublimation behavior of antimony in CoSb3 thermoelectric material during thermal duration test // J. Alloys Compd. 2011. Vol. 509. P. 3166–3171. DOI: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2010.11.204

Shklovskii B. I., Efros A. L. Electronic Properties of Doped Semiconductors. Moscow: Nauka, 1979. 416 p. (in Russian).

Kawaharada Y., Kurosaki K, Uno M., Yamanaka Sh. Thermoelectric properties of CoSb3 // J. Alloys Compd. 2001. Vol. 315. P. 193–197. DOI: https://doi.org/10.1016/s0925-8388(00)01275-5

Deng L., Wang L. B., Jia X. P., Ma H. A., Qin J. M., Wan Y. C. Improvement of thermoelectric performance for Te-doped CoSb3 by higher synthesis pressure // J. Alloys Compd. 2014. Vol. 602. P. 117–121.DOI: https://doi.org/10.1016/j.jallcom. 2014.03.017




DOI: http://dx.doi.org/10.30970/vch.6001.140

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.